5秒后页面跳转
AT28C04E-25PC PDF预览

AT28C04E-25PC

更新时间: 2024-11-06 20:32:47
品牌 Logo 应用领域
爱特美尔 - ATMEL 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器ATM异步传输模式光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 200K
描述
EEPROM, 512X8, 250ns, Parallel, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24

AT28C04E-25PC 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP24,.6针数:24
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.81
最长访问时间:250 ns其他特性:AUTOMATIC WRITE; 100K ENDURANCE WRITE CYCLES; DATA RETENTION = 10 YEARS
命令用户界面:NO数据轮询:YES
数据保留时间-最小值:10耐久性:100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码:R-PDIP-T24JESD-609代码:e0
长度:31.9 mm内存密度:4096 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:24
字数:512 words字数代码:512
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:512X8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP24,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V编程电压:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.59 mm
最大待机电流:0.0001 A子类别:EEPROMs
最大压摆率:0.03 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:NO宽度:15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC):0.2 msBase Number Matches:1

AT28C04E-25PC 数据手册

 浏览型号AT28C04E-25PC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AT28C04E-25PC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AT28C04E-25PC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号AT28C04E-25PC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AT28C04E-25PC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AT28C04E-25PC的Datasheet PDF文件第7页 

与AT28C04E-25PC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AT28C04E-25PI ETC

获取价格

x8 EEPROM
AT28C04E-30DC ATMEL

获取价格

EEPROM, 512X8, 300ns, Parallel, CMOS, CDIP24,
AT28C04E-30DI ATMEL

获取价格

EEPROM, 512X8, 300ns, Parallel, CMOS, CDIP24,
AT28C04E-30DM ATMEL

获取价格

EEPROM, 512X8, 300ns, Parallel, CMOS, CDIP24,
AT28C04E-30DM/883 ATMEL

获取价格

EEPROM, 512X8, 300ns, Parallel, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, CERDIP-24
AT28C04E-30LM/883 ETC

获取价格

x8 EEPROM
AT28C04E-30PC ATMEL

获取价格

Memory IC
AT28C04E-35DC ATMEL

获取价格

EEPROM, 512X8, 350ns, Parallel, CMOS, CDIP24,
AT28C04E-35DI ATMEL

获取价格

EEPROM, 512X8, 350ns, Parallel, CMOS, CDIP24,
AT28C04E-35DM ATMEL

获取价格

EEPROM, 512X8, 350ns, Parallel, CMOS, CDIP24,