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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | DIP, DIP24,.6 | 针数： | 24 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A001.A.2.C |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.81 |
| 最长访问时间： | 300 ns | 其他特性： | AUTOMATIC WRITE |
| 命令用户界面： | NO | 数据轮询： | YES |
| 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码： | R-GDIP-T24 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 32.15 mm |
| 内存密度： | 4096 bit | 内存集成电路类型： | EEPROM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 24 | 字数： | 512 words |
| 字数代码： | 512 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 512X8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP24,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 编程电压： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度： | 5.72 mm |
| 最大待机电流： | 0.003 A | 子类别： | EEPROMs |
| 最大压摆率： | 0.045 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 切换位： | NO | 宽度： | 15.24 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC)： | 0.2 ms | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AT28C04E-30LM/883 | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
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| AT28C04E-30PC | ATMEL |
获取价格 |
Memory IC |
|
| AT28C04E-35DC | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 512X8, 350ns, Parallel, CMOS, CDIP24, |
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| AT28C04E-35DI | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 512X8, 350ns, Parallel, CMOS, CDIP24, |
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| AT28C04E-35DM | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 512X8, 350ns, Parallel, CMOS, CDIP24, |
|
| AT28C04E-35DM/883 | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
|
| AT28C04E-35LM/883 | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
|
| AT28C04E-35PC | ATMEL |
获取价格 |
Memory IC |
|
| AT28C04E-45DC | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 512X8, 450ns, Parallel, CMOS, CDIP24, |
|
| AT28C04E-45DI | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 512X8, 450ns, Parallel, CMOS, CDIP24, |
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