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AT28C04-25LM/883

更新时间： 2024-09-09 20:13:55

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爱特美尔 - ATMEL		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
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9页	210K
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EEPROM, 512X8, 250ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32

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AT28C04-25LM/883 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	QCCN, LCC32,.45X.55	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.81
最长访问时间：	250 ns	其他特性：	AUTOMATIC WRITE
命令用户界面：	NO	数据轮询：	YES
耐久性：	10000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-CQCC-N32
JESD-609代码：	e0	长度：	13.97 mm
内存密度：	4096 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	512 words
字数代码：	512	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	512X8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	QCCN
封装等效代码：	LCC32,.45X.55	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	38535Q/M;38534H;883B	座面最大高度：	2.54 mm
最大待机电流：	0.003 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.045 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	宽度：	11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	1 ms	Base Number Matches：	1

AT28C04-25LM/883 数据手册

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