是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP24,.6 | 针数: | 24 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.81 |
最长访问时间: | 250 ns | 其他特性: | AUTOMATIC WRITE |
命令用户界面: | NO | 数据轮询: | YES |
耐久性: | 10000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-GDIP-T24 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 32.15 mm |
内存密度: | 4096 bit | 内存集成电路类型: | EEPROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 512 words |
字数代码: | 512 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
组织: | 512X8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP24,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
编程电压: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | 38535Q/M;38534H;883B | 座面最大高度: | 5.72 mm |
最大待机电流: | 0.0001 A | 子类别: | EEPROMs |
最大压摆率: | 0.045 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | MILITARY | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
切换位: | NO | 宽度: | 15.24 mm |
最长写入周期时间 (tWC): | 1 ms | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AT28C04-25DMB | ATMEL |
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Memory IC |
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AT28C04-25JC | ATMEL |
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EEPROM, 512X8, 250ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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AT28C04-25JCT/R | ATMEL |
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EEPROM, 512X8, 250ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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AT28C04-25JI | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 512X8, 250ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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AT28C04-25JIT/R | ATMEL |
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EEPROM, 512X8, 250ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
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AT28C04-25LC | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
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AT28C04-25LI | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
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AT28C04-25LM | ETC |
获取价格 |
x8 EEPROM |
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AT28C04-25LM/883 | ATMEL |
获取价格 |
EEPROM, 512X8, 250ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
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AT28C04-25LMB | ATMEL |
获取价格 |
Memory IC |
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