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AS8SLC512K32Q1-15L/IT

更新时间： 2024-01-02 07:56:00

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AUSTIN		存储静态存储器
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12页	232K
描述
512K x 32 SRAM SRAM Memory Array MCM

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AS8SLC512K32Q1-15L/IT 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	QFP
包装说明：	QFP, QFP68,.99SQ,50	针数：	68
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.09
最长访问时间：	15 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-CQFP-G68	JESD-609代码：	e0
长度：	22.352 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	SRAM MODULE	内存宽度：	32
功能数量：	1	端子数量：	68
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	组织：	512KX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QFP	封装等效代码：	QFP68,.99SQ,50
封装形状：	SQUARE	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.9784 mm	最大待机电流：	0.036 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.2 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	22.352 mm	Base Number Matches：	1

AS8SLC512K32Q1-15L/IT 数据手册

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SRAM

AS8SLC512K32

Austin Semiconductor, Inc.

MECHANICAL DEFINITIONS*

ASI Case #702 (Package Designator Q)

4 x D2

4 x D1

DETAILA

1^o- 7^o

SEE DETAIL A

SMD SPECIFICATIONS

SYMBOL

MIN

MAX

0.196

0.186

0.020

0.123

0.118

0.000

0.010 REF

0.800 BSC

0.013

0.017

0.870

0.980

0.936

0.890

1.000

0.956

0.050 BSC

0.005

0.035

---

0.045

*All measurements are in inches.

Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.

AS8SLC512K32

Rev. 2.5 5/09

1...5 6 789 10 11 12

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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