是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | QFP, QFP68,.99SQ,50 | 针数: | 68 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.A |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.11 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 20 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | S-CQFP-G68 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 22.352 mm |
内存密度: | 16777216 bit | 内存集成电路类型: | SRAM MODULE |
内存宽度: | 32 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 68 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 512KX32 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装代码: | QFP |
封装等效代码: | QFP68,.99SQ,50 | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLATPACK | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 4.9784 mm |
最大待机电流: | 0.036 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.16 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 22.352 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AS8SLC512K32Q1-20L/XT | AUSTIN |
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512K x 32 SRAM SRAM Memory Array MCM | |
AS8SLC512K32Q1-20L/XT | MICROSS |
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SRAM Module, 512KX32, 20ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68 | |
AS8SLC512K32Q-12L/883C | AUSTIN |
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512K x 32 SRAM SRAM Memory Array MCM | |
AS8SLC512K32Q-12L/883C | MICROSS |
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SRAM Module, 512KX32, 12ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68 | |
AS8SLC512K32Q-12L/IT | MICROSS |
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SRAM Module, 512KX32, 12ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68 | |
AS8SLC512K32Q-12L/IT | AUSTIN |
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512K x 32 SRAM SRAM Memory Array MCM | |
AS8SLC512K32Q-12L/XT | AUSTIN |
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512K x 32 SRAM SRAM Memory Array MCM | |
AS8SLC512K32Q-12L/XT | MICROSS |
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SRAM Module, 512KX32, 12ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68 | |
AS8SLC512K32Q-15/883C | MICROSS |
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SRAM Module, 512KX32, 15ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68 | |
AS8SLC512K32Q-15/IT | MICROSS |
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SRAM Module, 512KX32, 15ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68 |