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AS8SLC512K32Q1-15L/IT

更新时间: 2024-01-30 18:17:01
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AUSTIN 存储静态存储器
页数 文件大小 规格书
12页 232K
描述
512K x 32 SRAM SRAM Memory Array MCM

AS8SLC512K32Q1-15L/IT 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:QFP
包装说明:QFP, QFP68,.99SQ,50针数:68
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.09
最长访问时间:15 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:S-CQFP-G68JESD-609代码:e0
长度:22.352 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:SRAM MODULE内存宽度:32
功能数量:1端子数量:68
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:512KX32
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:QFP封装等效代码:QFP68,.99SQ,50
封装形状:SQUARE封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.9784 mm最大待机电流:0.036 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.2 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:22.352 mmBase Number Matches:1

AS8SLC512K32Q1-15L/IT 数据手册

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SRAM  
AS8SLC512K32  
Austin Semiconductor, Inc.  
READ CYCLE NO. 1  
t
RC  
ADDRESS  
t
AA  
t
OH  
PREVIOUS DATAVALID  
NEW DATA VALID  
DATAI/O  
READ CYCLE NO. 2  
t
RC  
ADDRESS  
t
AA  
CS\  
t
ACS  
t
t
HZCS  
LZCS  
OE\  
t
t
AOE  
t
HZOE  
LZOE  
DATA VALID  
DATAI/O  
HIGH IMPEDANCE  
Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
AS8SLC512K32  
Rev. 2.5 5/09  
6

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