5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > AS8SLC512K32Q1-15L/IT
AS8SLC512K32Q1-15L/IT PDF预览

AS8SLC512K32Q1-15L/IT

更新时间： 2024-02-13 09:09:36
品牌 Logo 应用领域
AUSTIN 存储静态存储器
页数 文件大小 规格书
12页 232K
描述
512K x 32 SRAM SRAM Memory Array MCM

阅读下载

获取价格

AS8SLC512K32Q1-15L/IT 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：QFP
包装说明：QFP, QFP68,.99SQ,50针数：68
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.09
最长访问时间：15 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：S-CQFP-G68JESD-609代码：e0
长度：22.352 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：SRAM MODULE内存宽度：32
功能数量：1端子数量：68
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：512KX32
输出特性：3-STATE封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：QFP封装等效代码：QFP68,.99SQ,50
封装形状：SQUARE封装形式：FLATPACK
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：4.9784 mm最大待机电流：0.036 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.2 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：22.352 mmBase Number Matches：1

AS8SLC512K32Q1-15L/IT 数据手册

 浏览型号AS8SLC512K32Q1-15L/IT的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AS8SLC512K32Q1-15L/IT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AS8SLC512K32Q1-15L/IT的Datasheet PDF文件第3页浏览型号AS8SLC512K32Q1-15L/IT的Datasheet PDF文件第5页浏览型号AS8SLC512K32Q1-15L/IT的Datasheet PDF文件第6页浏览型号AS8SLC512K32Q1-15L/IT的Datasheet PDF文件第7页 
SRAM  
AS8SLC512K32  
Austin Semiconductor, Inc.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS AND RECOMMENDEDAC OPERATING CONDITIONS  
(NOTE 5) (-55oC<TA < 125oC and -40oC to +85oC; VCC = 3.3V 0.3V)  
-10  
-12  
-15  
-17  
-20  
DESCRIPTION  
READ CYCLE  
SYMBOL  
UNITS NOTES  
MIN MAX MIN MAX MIN MAX MIN MAX MIN MAX  
tRC  
tAA  
tACS  
tOH  
tLZCS  
tHZCS  
tAOE  
tLZOE  
tHZOE  
READ cycle time  
10  
12  
15  
17  
20  
ns  
ns  
ns  
ns  
Address access time  
10  
10  
12  
12  
15  
15  
17  
17  
20  
20  
Chip select access time  
Output hold from address change  
Chip select to output in Low-Z  
Chip select to output in High-Z  
Output enable access time  
Output enable to output in Low-Z  
Output disable to output in High-Z  
WRITE CYCLE  
1
1
2
2
2
2
2
2
2
2
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
4,6,7  
4,6,7  
5
5
6
6
7
7
7.5  
7.5  
8
8
0
0
0
0
0
0
0
0
0
4,6  
4,6  
5
6
7
7.5  
8
tWC  
tCW  
WRITE cycle time  
10  
7
7
0
0
9
9
5
1
2
5
12  
8
15  
10  
10  
0
17  
11  
11  
0
20  
12  
12  
0
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Chip select to end of write  
Address valid to end of write  
Address setup time  
tAW  
8
tAS  
0
tAH  
Address hold from end of write  
WRITE pulse width, CS\ controlled  
WRITE pulse width, WE\ controlled  
Data setup time  
0
0
0
0
tWP1  
tWP2  
tDS  
10  
10  
6
12  
12  
7
14  
14  
7.5  
1
15  
15  
8
tDH  
tLZWE  
tHZWE  
Data hold time  
1
1
1
Write disable to output in Low-z  
Write enable to output in High-Z  
2
2
2
2
4,6,7  
4,6,7  
5
6
6.5  
7
Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
AS8SLC512K32  
Rev. 2.5 5/09  
4
1234567...12

下载PDF

与AS8SLC512K32Q1-15L/IT相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
AS8SLC512K32Q1-15L/XT AUSTIN 512K x 32 SRAM SRAM Memory Array MCM

获取价格
AS8SLC512K32Q1-15L/XT MICROSS SRAM Module, 512KX32, 15ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68

获取价格
AS8SLC512K32Q1-17/883C MICROSS SRAM Module, 512KX32, 17ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68

获取价格
AS8SLC512K32Q1-17/IT MICROSS SRAM Module, 512KX32, 17ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68

获取价格
AS8SLC512K32Q1-17/XT MICROSS SRAM Module, 512KX32, 17ns, CMOS, CQFP68, CERAMIC, QFP-68

获取价格
AS8SLC512K32Q1-17L/883C AUSTIN 512K x 32 SRAM SRAM Memory Array MCM

获取价格

与AS8SLC512K32Q1-15L/IT相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证