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AS7C3364FT32B-10TQI

更新时间： 2024-01-28 14:54:57

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	417K
描述
Standard SRAM, 64KX32, 10ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100

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AS7C3364FT32B-10TQI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	QFP	包装说明：	LQFP,
针数：	100	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.52	最长访问时间：	10 ns
其他特性：	FLOW-THROUGH ARCHITECTURE	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e0	长度：	20 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	64KX32	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

AS7C3364FT32B-10TQI 数据手册

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AS7C3364FT32B

AS7C3364FT36B

2 Mb Synchronous SRAM products list^1,2

Org

Part Number

Mode

PL-SCD

PL-DCD

Speed

128KX18

64KX32

AS7C33128PFS18B

AS7C3364PFS32B

AS7C3364PFS36B

AS7C33128PFD18B

AS7C3364PFD32B

AS7C3364PFD36B

AS7C33128FT18B

AS7C3364FT32B

AS7C3364FT36B

200/166/133 MHz

6.5/7.5/8.0/10 ns

64KX36

128KX18

64KX32

64KX36

128KX18

64KX32

64KX36

1 Core Power Supply: VDD = 3.3V + 0.165V

2 I/O Supply Voltage: VDDQ = 3.3V + 0.165V for 3.3V I/O

VDDQ = 2.5V + 0.125V for 2.5V I/O

PL-SCD

PL-DCD

Pipelined Burst Synchronous SRAM - Single Cycle Deselect

Pipelined Burst Synchronous SRAM - Double Cycle Deselect

Flow-through Burst Synchronous SRAM

2/8/05; v.1.2

Alliance Semiconductor

P. 2 of 19

123 4 5 6 7...19

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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