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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | QFP |
| 包装说明： | LQFP, | 针数： | 100 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | 3A991.B.2.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.52 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 8 ns |
| 其他特性： | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE | JESD-30 代码： | R-PQFP-G100 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 20 mm |
| 内存密度： | 2097152 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 32 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 100 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 64KX32 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LQFP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLATPACK, LOW PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.6 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.465 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.65 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 14 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AS7C3364FT32B-80TQIN | ALSC |
获取价格 |
3.3V 64K x 32/36 Flow Through Synchronous SRAM |
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| AS7C3364FT32B-80TQIN | ISSI |
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Standard SRAM, 64KX32, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100 |
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| AS7C3364FT36B-10TQC | ALSC |
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3.3V 64K x 32/36 Flow Through Synchronous SRAM |
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| AS7C3364FT36B-10TQC | ISSI |
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Standard SRAM, 64KX36, 10ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 |
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| AS7C3364FT36B-10TQCN | ALSC |
获取价格 |
3.3V 64K x 32/36 Flow Through Synchronous SRAM |
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| AS7C3364FT36B-10TQCN | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX36, 10ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100 |
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| AS7C3364FT36B-10TQI | ALSC |
获取价格 |
3.3V 64K x 32/36 Flow Through Synchronous SRAM |
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| AS7C3364FT36B-10TQIN | ALSC |
获取价格 |
3.3V 64K x 32/36 Flow Through Synchronous SRAM |
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| AS7C3364FT36B-10TQIN | ISSI |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX36, 10ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100 |
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| AS7C3364FT36B-65TQC | ALSC |
获取价格 |
3.3V 64K x 32/36 Flow Through Synchronous SRAM |
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