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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | QFP | 包装说明： | LQFP, QFP100,.63X.87 |
| 针数： | 100 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.52 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 7.5 ns | 其他特性： | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 117.64 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PQFP-G100 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 20 mm | 内存密度： | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 32 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 100 |
| 字数： | 65536 words | 字数代码： | 64000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 64KX32 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | LQFP | 封装等效代码： | QFP100,.63X.87 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLATPACK, LOW PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 电源： | 2.5/3.3,3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.6 mm | 最大待机电流： | 0.03 A |
| 最小待机电流： | 3.14 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.225 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.465 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.65 mm |
| 端子位置： | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 14 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| AS7C3364FT32B-75TQI | ALSC | 3.3V 64K x 32/36 Flow Through Synchronous SRAM |
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| AS7C3364FT32B-75TQIN | ALSC | 3.3V 64K x 32/36 Flow Through Synchronous SRAM |
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| AS7C3364FT32B-80TQC | ALSC | 3.3V 64K x 32/36 Flow Through Synchronous SRAM |
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| AS7C3364FT32B-80TQC | ISSI | Standard SRAM, 64KX32, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100 |
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| AS7C3364FT32B-80TQCN | ALSC | 3.3V 64K x 32/36 Flow Through Synchronous SRAM |
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| AS7C3364FT32B-80TQCN | ISSI | Standard SRAM, 64KX32, 8ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD FREE, TQFP-100 |
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