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AS7C251MNTD32A-167TQIN

更新时间： 2024-02-09 07:02:36
品牌 Logo 应用领域
ALSC 时钟ISM频段静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
22页 453K
描述
ZBT SRAM, 1MX32, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD-FREE, TQFP-100

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AS7C251MNTD32A-167TQIN 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFP包装说明：LQFP, QFP100,.63X.87
针数：100Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.77最长访问时间：7.5 ns
其他特性：FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE最大时钟频率 (fCLK)：167 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PQFP-G100
JESD-609代码：e3/e6长度：20 mm
内存密度：33554432 bit内存集成电路类型：ZBT SRAM
内存宽度：32功能数量：1
端子数量：100字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：1MX32输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LQFP
封装等效代码：QFP100,.63X.87封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：2.5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.6 mm
最大待机电流：0.06 A最小待机电流：2.38 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.35 mA
最大供电电压 (Vsup)：2.625 V最小供电电压 (Vsup)：2.375 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：PURE MATTE TIN/TIN BISMUTH端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：40宽度：14 mm
Base Number Matches：1

AS7C251MNTD32A-167TQIN 数据手册

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AS7C251MNTD32A  
AS7C251MNTD36A  
®
165-ball BGA - top view for 1M X 36  
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1 A0 and A1 are the two least significant bits (LSB) of the address field and set the internal burst counter if burst is desired.  
4/26/04, V 1.0  
Alliance Semiconductor  
P. 3 of 22  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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