Datasheet > 暂无类别数据> AS7C251MNTD36A-166TQI

AS7C251MNTD36A-166TQI

更新时间： 2024-01-18 17:43:34

品牌	Logo	应用领域
ALSC		存储内存集成电路静态存储器
页数	文件大小	规格书
18页	436K
描述
2.5V 1M x 32/36 Pipelined SRAM with NTD

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AS7C251MNTD36A-166TQI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	QFP	包装说明：	LQFP,
针数：	100	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.49	最长访问时间：	3.5 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e3	长度：	20 mm
内存密度：	37748736 bit	内存集成电路类型：	ZBT SRAM
内存宽度：	36	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1MX36	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LQFP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	245	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.6 mm	最大供电电压 (Vsup)：	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.375 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	14 mm

AS7C251MNTD36A-166TQI 数据手册

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January 2005

AS7C251MNTD32A

AS7C251MNTD36A

2.5V 1M × 32/36 Pipelined SRAM with NTD^TM

Features

• Available in 100-pin TQFP packages

• Organization: 1,048,576 words × 32 or 36 bits

• NTD^™architecture for efficient bus operation

• Fast clock speeds to 200 MHz

• Fast clock to data access: 3.2/3.5/3.8 ns

• Fast OE access time: 3.2/3.5/3.8 ns

• Fully synchronous operation

• Byte write enables

• Clock enable for operation hold

• Multiple chip enables for easy expansion

• 2.5V core power supply

• Self-timed write cycles

• Interleaved or linear burst modes

• Snooze mode for standby operation

• pipelined mode

• Common data inputs and data outputs

• Asynchronous output enable control

Logic block diagram

A[19:0]

Address

Burst logic

CLK

CE0

CE1

CE2

Write delay

addr. registers

CLK

R/W

BWa

Control

logic

CLK

BWb

BWc

BWd

ADV / LD

1M x 32/36

SRAM

LBO

CLK

Array

32/36

DQ[a,b,c,d]

Data

Input

32/36

CLK

32/36

CLK

CEN

CLK

Output

32/36

DQ[a,b,c,d]

Selection guide

-200

-166

-133

7.5

Units

Minimum cycle time

Maximum clock frequency

Maximum clock access time

Maximum operating current

Maximum standby current

200

3.2

450

170

166

3.5

400

150

133

3.8

MHz

350

140

Maximum CMOS standby current (DC)

1/17/05, V 1.2

Alliance Semiconductor

P. 1 of 18

12 3 4 5 6 7...18

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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AS7C251MNTD36A-166TQIN	ISSI	获取价格	ZBT SRAM, 1MX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD-FREE, TQFP-100
AS7C251MNTD36A-167BC	ALSC	获取价格	ZBT SRAM, 1MX36, 7.5ns, CMOS, PBGA165, BGA-165
AS7C251MNTD36A-167BCN	ALSC	获取价格	ZBT SRAM, 1MX36, 7.5ns, CMOS, PBGA165, LEAD-FREE, BGA-165
AS7C251MNTD36A-167BI	ALSC	获取价格	ZBT SRAM, 1MX36, 7.5ns, CMOS, PBGA165, BGA-165
AS7C251MNTD36A-167BIN	ALSC	获取价格	ZBT SRAM, 1MX36, 7.5ns, CMOS, PBGA165, LEAD-FREE, BGA-165
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