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AS7C251MNTD32A-200TQI

更新时间： 2024-02-10 03:36:24

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	436K
描述
ZBT SRAM, 1MX32, 3.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, TQFP-100

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AS7C251MNTD32A-200TQI 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFP
包装说明：	LQFP,	针数：	100
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.38
最长访问时间：	3.2 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	JESD-609代码：	e0
长度：	20 mm	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	ZBT SRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端子数量：	100
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1MX32
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)：	2.625 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

AS7C251MNTD32A-200TQI 数据手册

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January 2005

AS7C251MNTD32A

AS7C251MNTD36A

2.5V 1M × 32/36 Pipelined SRAM with NTD^TM

Features

• Available in 100-pin TQFP packages

• Organization: 1,048,576 words × 32 or 36 bits

• NTD^™architecture for efficient bus operation

• Fast clock speeds to 200 MHz

• Fast clock to data access: 3.2/3.5/3.8 ns

• Fast OE access time: 3.2/3.5/3.8 ns

• Fully synchronous operation

• Byte write enables

• Clock enable for operation hold

• Multiple chip enables for easy expansion

• 2.5V core power supply

• Self-timed write cycles

• Interleaved or linear burst modes

• Snooze mode for standby operation

• pipelined mode

• Common data inputs and data outputs

• Asynchronous output enable control

Logic block diagram

A[19:0]

Address

Burst logic

CLK

CE0

CE1

CE2

Write delay

addr. registers

CLK

R/W

BWa

Control

logic

CLK

BWb

BWc

BWd

ADV / LD

1M x 32/36

SRAM

LBO

CLK

Array

32/36

DQ[a,b,c,d]

Data

Input

32/36

CLK

32/36

CLK

CEN

CLK

Output

32/36

DQ[a,b,c,d]

Selection guide

-200

-166

-133

7.5

Units

Minimum cycle time

Maximum clock frequency

Maximum clock access time

Maximum operating current

Maximum standby current

200

3.2

450

170

166

3.5

400

150

133

3.8

MHz

350

140

Maximum CMOS standby current (DC)

1/17/05, V 1.2

Alliance Semiconductor

P. 1 of 18

12 3 4 5 6 7...18

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
AS7C251MNTD32A-200TQIN	ALSC	2.5V 1M x 32/36 Pipelined SRAM with NTD	获取价格
AS7C251MNTD32A-200TQIN	ISSI	ZBT SRAM, 1MX32, 3.2ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, LEAD-FREE, TQFP-100	获取价格
AS7C251MNTD36A-133BC	ALSC	ZBT SRAM, 1MX36, 10ns, CMOS, PBGA165, BGA-165	获取价格
AS7C251MNTD36A-133BCN	ALSC	ZBT SRAM, 1MX36, 10ns, CMOS, PBGA165, LEAD-FREE, BGA-165	获取价格
AS7C251MNTD36A-133BI	ALSC	ZBT SRAM, 1MX36, 10ns, CMOS, PBGA165, BGA-165	获取价格
AS7C251MNTD36A-133BIN	ALSC	ZBT SRAM, 1MX36, 10ns, CMOS, PBGA165, LEAD-FREE, BGA-165	获取价格

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