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AS6UA25616-TC

更新时间： 2024-10-31 22:05:51
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 静态存储器
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9页 184K
描述
2.3V to 3.6V 256K】16 Intelliwatt⑩ low-power CMOS SRAM with one chip enable

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AS6UA25616-TC 数据手册

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October 2000  
AS6UA25616  
®
2.3V to 3.6V 256K×16 Intelliwatt™ low-power CMOS SRAM with one chip enable  
• Low power consumption: STANDBY  
- 72 µW max at 3.6V  
‘Features  
• AS6UA25616  
- 41 µW max at 2.7V  
• Intelliwatt™ active power circuitry  
• Industrial and commercial temperature ranges available  
• Organization: 262,144 words x 16 bits  
• 2.7V to 3.6V at 55 ns  
• 1.2V data retention  
• Equal access and cycle times  
• Easy memory expansion with CS, OE inputs  
• Smallest footprint packages  
- 48-ball FBGA  
• 2.3V to 2.7V at 70 ns  
• Low power consumption: ACTIVE  
- 114 mW at 3.6V and 55 ns  
- 400-mil 44-pin TSOP II  
• ESD protection ≥ 2000 volts  
• Latch-up current ≥ 200 mA  
- 68 mW at 2.7V and 70 ns  
Logic block diagram  
Pin arrangement (top view)  
44-pin 400-mil TSOP II  
A0  
A1  
A2  
VCC  
VSS  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
CS  
1
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
A5  
2
A6  
3
A7  
256K × 16  
A3  
4
OE  
A4  
Array  
(4,194,304)  
5
UB  
A6  
6
LB  
A7  
A8  
I/O16  
I/O15  
I/O14  
I/O13  
VSS  
VCC  
I/O1  
7
I/O2  
I/O3  
I/O4  
8
A12  
A13  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
VCC  
I/O1–I/O8  
I/O9–I/O16  
I/O  
Control circuit  
VSS  
I/O5  
I/O6  
I/O7  
I/O  
buffer  
I/O12  
I/O11  
I/O10  
I/O9  
NC  
Column decoder  
WE  
8
WE  
A17  
A16  
A15  
A14  
A13  
1
8
A8  
19  
20  
21  
22  
A9  
A10  
A11  
A12  
UB  
OE  
LB  
CS  
48-CSP Ball-Grid-Array Package  
1
2
3
4
5
6
A
B
C
D
E
LB  
OE  
A0  
A3  
A1  
A4  
A2  
NC  
I/O9 UB  
CS I/O1  
I/O10 I/O11 A5  
A6 I/O2 I/O3  
A7 I/O4  
I/O13 NC A16 I/O5  
V
I/O12 A17  
V
CC  
SS  
V
V
SS  
CC  
F
I/O15 I/O14 A14 A15 I/O6 I/O7  
I/O16 NC A12 A13 WE I/O8  
G
H
NC  
A8  
A9  
A10 A11 NC  
Selection guide  
V
Range  
Power Dissipation  
Operating (I Standby (I  
CC  
2
)
)
SB1  
CC  
Min  
(V)  
Typ  
Max  
Speed  
(ns)  
Product  
(V)  
3.0  
2.5  
(V)  
3.6  
2.7  
Max (mA)  
Max (µA)  
AS6UA25616  
AS6UA25616  
2.7  
2.3  
55  
70  
2
1
20  
15  
10/6/00  
ALLIANCE SEMICONDUCTOR  
1
Copyright ©2000 Alliance Semiconductor. All rights reserved.  
1234567...9

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与AS6UA25616-TC相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AS6UA25616-TI ETC

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 		2.3V to 3.6V 256K】16 Intelliwatt⑩ low-power C
AS6UA25617 ETC

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 		1.65V to 3.6V 256K x 16 Intelliwatt low power CMOS SRAM with two chip enables
AS6UA25617-100BC ALSC

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 		Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48
AS6UA25617-100BI ALSC

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 		Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48
AS6UA25617-100TC ALSC

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 		Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
AS6UA25617-100TI ALSC

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 		Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
AS6UA25617-55BC ALSC

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 		Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48
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 		Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48
AS6UA25617-55TC ALSC

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 		Standard SRAM, 256KX16, 55ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
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