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AS6UA25617-100BI

更新时间： 2024-11-06 03:25:07

品牌	Logo	应用领域
ALSC		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	216K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48

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AS6UA25617-100BI 数据手册

Preliminary information

June 2000

AS6UA25617

1.65V to 3.6V 256K×16 Intelliwatt™ low power CMOS SRAM with two chip enables

• Low power consumption: STANDBY

- 72 µW max at 3.6V

Features

• AS6UA25617

- 41 µW max at 2.7V

• Intelliwatt™ active power circuitry

• Industrial and commercial temperature ranges available

• Organization: 262,144 words × 16 bits

• 2.7V to 3.6V at 55 ns

• 2.3V to 2.7V at 70 ns

• 1.65V to 2.3V at 100 ns

- 28 µW max at 2.3V

• 1.2V data retention

• Equal access and cycle times

• Easy memory expansion with CS1, CS2, OE inputs

• Smallest footprint package

- 400-mil 44-pin TSOP II

- 48-ball FBGA

• CS1 and CS2 for chip selection

• Low power consumption: ACTIVE

- 144 mW at 3.6V and 55 ns

- 68 mW at 2.7V and 70 ns

• ESD protection ≥ 2000 volts

• Latch-up current ≥ 200 mA

- 28 mW at 2.3 V and 100 ns

Pin arrangement (top view)

400-pin 400-mil TSOP II

Logic block diagram

A17

A16

A15

1024 × 256 × 16

Array

(4,194,304)

CS1

I/ O1

I/ O16

I/ O15

I/ O14

I/ O

I/ O3

I/ O4

I/ O

A12

A13

I/ O12

I/ O5

I/ O6

I/ O7

I/ O8

I/ O1–I/ O8

I/ O

Control circuit

I/ O11

I/ O10

I/ O9

CS2

buffer

I/ O9–I/ O16

Column decoder

A14

A13

A12

A11

A10

CS1

CS2

48-CSP Ball-Grid-Array Package

CS2

I/ O₉UB

CS1 I/ O₁

I/ O₂I/ O₃

I/ O₄V_CC

I/ O₁₀I/ O₁₁

I/ O₁₂

V_CCI/ O₁₃NC

I/ O₅

I/ O₁₅I/ O₁₄

I/ O₁₆NC

I/ O₆I/ O₇

WE I/ O₈

Selection guide

V_CCRange

Power Dissipation

Typ²

(V)

Max

(V)

Speed

(ns)

Operating (I_CC1

)

Standby (I_SB2)

Min

(V)

Product

Max (mA)

Max (µA)

AS6UA25617

2.7

2.3

3.0

2.5

2.0

3.6

2.7

2.3

AS6UA25617^*

1.65

100

ALLIANCE SEMICONDUCTOR

12 3 4 5 6 7...9

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