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AS5SS256K36ADQ-10/883C

更新时间: 2024-09-17 03:30:23
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AUSTIN 内存集成电路静态存储器时钟
页数 文件大小 规格书
16页 333K
描述
256K x 36 SSRAM Flow-Through, Synchronous Burst SRAM

AS5SS256K36ADQ-10/883C 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:QFP
包装说明:14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, MS-026, TQFP-100针数:100
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.48
Is Samacsys:N最长访问时间:10 ns
其他特性:FLOW-THROUGH ARCHITECTURE最大时钟频率 (fCLK):66 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PQFP-G100
JESD-609代码:e3长度:20.1 mm
内存密度:9437184 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:36湿度敏感等级:3
功能数量:1端子数量:100
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:256KX36
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:LQFP封装等效代码:QFP100,.63X.87
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):260
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
筛选级别:MIL-STD-883座面最大高度:1.6 mm
最大待机电流:0.015 A最小待机电流:3.14 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.25 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:MATTE TIN端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:14 mm
Base Number Matches:1

AS5SS256K36ADQ-10/883C 数据手册

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