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AS5SS256K36ADQ-8.5/IT

更新时间: 2024-09-17 03:02:43
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AUSTIN 内存集成电路静态存储器时钟
页数 文件大小 规格书
16页 333K
描述
256K x 36 SSRAM Flow-Through, Synchronous Burst SRAM

AS5SS256K36ADQ-8.5/IT 技术参数

是否无铅:不含铅生命周期:Active
零件包装代码:QFP包装说明:14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, MS-026, TQFP-100
针数:100Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.62Is Samacsys:N
最长访问时间:8.5 ns其他特性:FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK):100 MHzI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PQFP-G100JESD-609代码:e3
长度:20 mm内存密度:9437184 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:36
湿度敏感等级:3功能数量:1
端子数量:100字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256KX36输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:LQFP
封装等效代码:QFP100,.63X.87封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK, LOW PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.6 mm
最大待机电流:0.015 A最小待机电流:3.14 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.325 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3.135 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:MATTE TIN端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:14 mm
Base Number Matches:1

AS5SS256K36ADQ-8.5/IT 数据手册

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