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AS5SS256K36ADQ-8.5/883 PDF预览

AS5SS256K36ADQ-8.5/883

更新时间： 2024-09-16 23:31:43
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16页 512K
描述
x36 Fast Synchronous SRAM

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AS5SS256K36ADQ-8.5/883 数据手册

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SSRAM  
AS5SS256K36 &  
AS5SS256K36A  
Austin Semiconductor, Inc.  
256K x 36 SSRAM  
PIN ASSIGNMENT  
Synchronous Burst SRAM  
(Top View)  
FEATURES  
100-pin TQFP (DQ)  
(2-chip enable version, “A” indicator)  
l Organized 256K x 36  
l Fast Clock and OE\ access times  
l Single +3.3V +0.3V/-0.165V power supply (VDD)  
l SNOOZE MODE for reduced-power standby  
l Common data inputs and data outputs  
l Individual BYTE WRITE control and GLOBAL WRITE  
l Three chip enables for simple depth expansion and address  
pipelining  
DQPc  
DQc  
DQc  
VDDQ  
Vss  
DQc  
DQc  
DQc  
DQc  
Vss  
VDDQ  
DQc  
DQc  
Vss  
VDD  
NC  
1
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8
DQPb  
DQb  
DQb  
VDDQ  
Vss  
DQb  
DQb  
DQb  
DQb  
Vss  
VDDQ  
DQb  
DQb  
Vss  
8 0  
7 9  
7 8  
7 7  
7 6  
7 5  
7 4  
7 3  
7 2  
7 1  
7 0  
6 9  
6 8  
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6 6  
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6 3  
6 2  
6 1  
6 0  
5 9  
5 8  
5 7  
5 6  
5 5  
5 4  
5 3  
5 2  
5 1  
9
l Clock-controlled and registered addresses, data I/Os and  
control signals  
1 0  
1 1  
1 2  
1 3  
1 4  
1 5  
1 6  
1 7  
1 8  
1 9  
2 0  
2 1  
2 2  
2 3  
2 4  
2 5  
2 6  
2 7  
2 8  
2 9  
3 0  
l Internally self-timed WRITE cycle  
l Burst control (interleaved or linear burst)  
l Automatic power-down for portable applications  
l 100-lead TQFP package for high density, high speed  
l Low capacitive bus loading  
NC  
VDD  
ZZ  
Vss  
DQd  
DQd  
VDDQ  
Vss  
DQd  
DQd  
DQd  
DQd  
Vss  
VDDQ  
DQd  
DQd  
DQPd  
DQa  
DQa  
VDDQ  
Vss  
DQa  
DQa  
DQa  
DQa  
Vss  
VDDQ  
DQa  
DQa  
DQPa  
OPTIONS  
l Timing  
MARKING  
8.5ns/10ns/100MHz  
10ns/15ns/66MHz  
l Packages  
-8.5  
-10  
100-pin TQFP (2-chip enable)  
l Pinout  
2-chip Enables  
DQ No. 1001  
100-pin TQFP (DQ)  
(3-chip enable version, no indicator)  
A
3-chip Enables  
no indicator  
l Operating Temperature Ranges  
Military (-55oC to +125oC)  
Industrial (-40oC to +85oC)  
XT  
IT  
DQPc  
DQc  
DQc  
VDDQ  
Vss  
DQc  
DQc  
DQc  
DQc  
Vss  
VDDQ  
DQc  
DQc  
Vss  
VDD  
NC  
1
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DQPb  
DQb  
DQb  
VDDQ  
Vss  
DQb  
DQb  
DQb  
DQb  
Vss  
VDDQ  
DQb  
DQb  
Vss  
8 0  
7 9  
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7 7  
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6 0  
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5 6  
5 5  
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5 2  
5 1  
GENERAL DESCRIPTION  
9
The AS5SS256K36 employs high-speed, low-power CMOS  
designs that are fabricated using an advanced CMOS process.  
This 8Mb Synchronous Burst SRAM integrates a 256K x  
36 SRAM core with advanced synchronous peripheral circuitry  
and a 2-bit burst counter. All synchronous inputs pass through  
registers controlled by a positive-edge-triggered single-clock  
input (CLK). The synchronous inputs include all addresses, all  
data inputs, active LOW chip enable (CE\), two additional chip  
enables for easy depth expansion (CE2\, CE2), burst control  
inputs (ADSC\, ADSP\, ADV\), byte write enables (BWx\) and  
global write (GW\). Note that CE2\ is not available on the A  
version.  
1 0  
1 1  
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NC  
VDD  
ZZ  
Vss  
DQd  
DQd  
VDDQ  
Vss  
DQd  
DQd  
DQd  
DQd  
Vss  
VDDQ  
DQd  
DQd  
DQPd  
DQa  
DQa  
VDDQ  
Vss  
DQa  
DQa  
DQa  
DQa  
Vss  
VDDQ  
DQa  
DQa  
DQPa  
For more products and information  
please visit our web site at  
www.austinsemiconductor.com  
Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
AS5SS256K36 &  
AS5SS256K36A  
Rev. 1.5 5/00  
1
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003  
1234567...16

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与AS5SS256K36ADQ-8.5/883相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AS5SS256K36ADQ-8.5/883C AUSTIN

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 		256K x 36 SSRAM Flow-Through, Synchronous Burst SRAM
AS5SS256K36ADQ-8.5/IT AUSTIN

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 		256K x 36 SSRAM Flow-Through, Synchronous Burst SRAM
AS5SS256K36ADQ-8.5/XT AUSTIN

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 		256K x 36 SSRAM Flow-Through, Synchronous Burst SRAM
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 		Standard SRAM
AS5SS256K36DQ-8.5/883C AUSTIN

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 		256K x 36 SSRAM Flow-Through, Synchronous Burst SRAM
AS5SS256K36DQ-8.5/IT AUSTIN

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 		256K x 36 SSRAM Flow-Through, Synchronous Burst SRAM
AS5SS256K36DQ-8.5/XT AUSTIN

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