生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOP, | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | 3A001.A.2.C |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.58 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 200 ns |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 | JESD-609代码: | e4 |
长度: | 20.45 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | EEPROM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 组织: | 128KX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 编程电压: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 3 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | MILITARY |
端子面层: | PALLADIUM GOLD | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 11.3 mm | 最长写入周期时间 (tWC): | 10 ms |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AS58C1001DG-25/883C | AUSTIN |
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128K x 8 EEPROM EEPROM Memory | |
AS58C1001DG-25/IT | AUSTIN |
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128K x 8 EEPROM EEPROM Memory | |
AS58C1001DG-25/XT | AUSTIN |
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128K x 8 EEPROM EEPROM Memory | |
AS58C1001DG-25/XT | MICROSS |
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EEPROM, 128KX8, 250ns, Parallel, CMOS, PDSO32, PLASTIC, SOP-32 | |
AS58C1001ECA-15/883C | AUSTIN |
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128K x 8 EEPROM EEPROM Memory | |
AS58C1001ECA-15/883C | MICROSS |
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EEPROM, 128KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | |
AS58C1001ECA-15/IT | AUSTIN |
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128K x 8 EEPROM EEPROM Memory | |
AS58C1001ECA-15/XT | AUSTIN |
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128K x 8 EEPROM EEPROM Memory | |
AS58C1001ECA-20/883C | MICROSS |
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EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 | |
AS58C1001ECA-20/883C | AUSTIN |
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128K x 8 EEPROM EEPROM Memory |