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AS58C1001DG-20/XT

更新时间: 2024-12-01 06:37:51
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AUSTIN 存储内存集成电路光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
22页 295K
描述
128K x 8 EEPROM EEPROM Memory

AS58C1001DG-20/XT 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP,针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.58
Is Samacsys:N最长访问时间:200 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e4
长度:20.45 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:128KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL编程电压:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:PALLADIUM GOLD端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:11.3 mm最长写入周期时间 (tWC):10 ms
Base Number Matches:1

AS58C1001DG-20/XT 数据手册

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EEPROM  
AS58C1001  
Austin Semiconductor, Inc.  
PLEASE NOTE:  
An EOL notice was  
issued on this product in  
2001. However, ASI has a  
large amount of die inventory  
available. For assistance,  
please contact your local  
sales representative.  
Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
AS58C1001  
Rev. 5.0 7/02  
1

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