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AS58C1001ECA-20/IT

更新时间： 2024-12-01 06:37:51

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AUSTIN		存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数	文件大小	规格书
22页	295K
描述
128K x 8 EEPROM EEPROM Memory

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AS58C1001ECA-20/IT 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFJ	包装说明：	QCCN, LCC32,.45X.55
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.27	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	200 ns	命令用户界面：	NO
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-CQCC-N32
JESD-609代码：	e0	长度：	13.97 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QCCN	封装等效代码：	LCC32,.45X.55
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
页面大小：	128 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	3.048 mm
最大待机电流：	0.003 A	子类别：	EEPROMs
最大压摆率：	0.055 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	宽度：	11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	Base Number Matches：	1

EEPROM

AS58C1001

Austin Semiconductor, Inc.

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AS58C1001

Rev. 5.0 7/02

12 3 4 5 6 7...22

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AS58C1001ECA-20/XT	AUSTIN	获取价格	128K x 8 EEPROM EEPROM Memory
AS58C1001ECA-25/883C	AUSTIN	获取价格	128K x 8 EEPROM EEPROM Memory
AS58C1001ECA-25/883C	MICROSS	获取价格	EEPROM, 128KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CQCC32, CERAMIC, LCC-32
AS58C1001ECA-25/IT	AUSTIN	获取价格	128K x 8 EEPROM EEPROM Memory
AS58C1001ECA-25/XT	AUSTIN	获取价格	128K x 8 EEPROM EEPROM Memory
AS58C1001F	AUSTIN	获取价格	EEPROM
AS58C1001F-15	ETC	获取价格	x8 EEPROM
AS58C1001F-15/883C	AUSTIN	获取价格	EEPROM
AS58C1001F-15/IT	AUSTIN	获取价格	128K x 8 EEPROM EEPROM Memory
AS58C1001F-15/XT	AUSTIN	获取价格	EEPROM