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AS58C1001ECA-20/883C

更新时间: 2024-12-01 06:37:51
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AUSTIN 存储可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数 文件大小 规格书
22页 295K
描述
128K x 8 EEPROM EEPROM Memory

AS58C1001ECA-20/883C 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:QFJ包装说明:QCCN, LCC32,.45X.55
针数:32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A001.A.2.CHTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.27最长访问时间:200 ns
命令用户界面:NO数据轮询:YES
JESD-30 代码:R-CQCC-N32JESD-609代码:e0
长度:13.97 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:128KX8
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码:QCCN
封装等效代码:LCC32,.45X.55封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER页面大小:128 words
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
编程电压:5 V认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES筛选级别:MIL-STD-883 Class C
座面最大高度:3.048 mm最大待机电流:0.003 A
子类别:EEPROMs最大压摆率:0.055 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:NO LEAD
端子节距:1.27 mm端子位置:QUAD
切换位:NO宽度:11.43 mm
最长写入周期时间 (tWC):10 msBase Number Matches:1

AS58C1001ECA-20/883C 数据手册

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EEPROM  
AS58C1001  
Austin Semiconductor, Inc.  
PLEASE NOTE:  
An EOL notice was  
issued on this product in  
2001. However, ASI has a  
large amount of die inventory  
available. For assistance,  
please contact your local  
sales representative.  
Austin Semiconductor, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
AS58C1001  
Rev. 5.0 7/02  
1

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