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AS58C1001DCJ-20/IT

更新时间： 2024-12-01 06:37:51

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AUSTIN		存储内存集成电路可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
页数	文件大小	规格书
22页	295K
描述
128K x 8 EEPROM EEPROM Memory

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AS58C1001DCJ-20/IT 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SOJ,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.22
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	200 ns
JESD-30 代码：	R-CDSO-J32	长度：	20.955 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	SOJ	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	5 V	座面最大高度：	3.6068 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	11.049 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	10 ms	Base Number Matches：	1

EEPROM

AS58C1001

Austin Semiconductor, Inc.

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AS58C1001

Rev. 5.0 7/02

12 3 4 5 6 7...22

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AS58C1001DCJ-20/XT	AUSTIN	获取价格	EEPROM
AS58C1001DCJ-20/XT	MICROSS	获取价格	EEPROM, 128KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDSO32, SOJ-32
AS58C1001DCJ-20883C	AUSTIN	获取价格	EEPROM
AS58C1001DCJ-20IT	AUSTIN	获取价格	EEPROM
AS58C1001DCJ-20XT	AUSTIN	获取价格	EEPROM
AS58C1001DCJ-25/883C	AUSTIN	获取价格	EEPROM
AS58C1001DCJ-25/IT	AUSTIN	获取价格	128K x 8 EEPROM EEPROM Memory
AS58C1001DCJ-25/XT	AUSTIN	获取价格	EEPROM
AS58C1001DCJ-25/XT	MICROSS	获取价格	EEPROM, 128KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDSO32, SOJ-32
AS58C1001DCJ-25883C	AUSTIN	获取价格	EEPROM