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AS4LC2M8S0-8TC

更新时间： 2024-02-20 04:53:25
品牌 Logo 应用领域
ALSC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
29页 720K
描述
3.3V 2M × 8/1M × 16 CMOS synchronous DRAM

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AS4LC2M8S0-8TC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSOP44,.46,32
针数：44Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.92访问模式：DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：6 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：125 MHzI/O 类型：COMMON
交错的突发长度：1,2,4,8JESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e0长度：18.41 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：44
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：2MX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP44,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
连续突发长度：1,2,4,8,FP最大待机电流：0.002 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

AS4LC2M8S0-8TC 数据手册

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AS4LC2M8S1  
AS4LC1M16S1  
®
DC electrical characteristics  
–7  
–8  
–10  
Parameter  
Symbol  
IIL  
Test conditions  
0V ≤ VIN ≤ VCC,  
Pins not under test = 0V  
Min Max Min Max Min Max Unit Notes  
Input leakage current  
–5 +5 –5 +5 –5 +5 µA  
Output leakage  
current  
IOL  
DOUT disabled, 0V ≤ VOUT ≤ VCCQ  
–10 +10 –10 +10 –10 +10 µA  
1,3,  
Operating current  
(one bank active)  
tRC ≥ min, IO = 0mA,  
ICC1  
CL =3  
–
140  
–
100  
–
100 mA  
burst length = 1  
4,5  
Precharge standby  
current (power  
down mode)  
ICC2P  
CKE ≤ VIL(max), tCK = 15 ns  
CKE and CLK ≤ VIL(max), tCK = ∞  
CS ≥ VIH(min), CKE ≥ VIH(min),  
–
–
2.0  
2.0  
–
–
2.0  
2.0  
–
–
2.0 mA  
2.0 mA  
ICC2PS  
ICC2N  
t
CK = 15 ns; input signals changed  
–
30  
–
30  
–
30 mA 1,2,3  
Precharge standby  
current (non-power-  
down mode)  
once during 30 ns  
CLK ≤ VIL(max), CKE ≥ VIH(min),  
CK = ∞; input signals stable  
ICC2NS  
–
6
–
6
–
6
mA 1,2,3  
t
Active standby  
current (power-  
down mode)  
ICC3P  
CKE ≤ VIL(max), tCK = 15 ns  
CLK, CKE ≤ VIL(max), tCK = ∞  
–
–
2
2
–
–
2
2
–
–
2
2
mA 1,2,3  
mA 1,2,3  
ICC3PS  
CKE ≥ VIH(min), CS ≥ VIH(min),  
CK = 15 ns; input signals changed  
once during 30 ns  
Active standby  
ICC3N  
t
–
–
35  
–
35  
–
35 mA 1,2,3  
current (non-power-  
down mode, one  
bank active)  
CKE ≥ VIH(min), CLK ≥ VIL(max),  
ICC3NS  
10  
–
10  
–
10 mA 1,2,3  
t
CK = ∞; input signals stable  
IO = 0 mA  
Page burst  
All banks activated  
CL =3  
CL =2  
140  
125  
–
–
130  
115  
–
–
120  
1,2,  
Operating current  
(burst mode)  
100  
70  
ICC4  
mA  
3,5  
CL =1  
80  
–
–
70  
90  
–
–
t
CCD = tCCD(min)  
1,2,  
3,5  
Refresh current  
ICC5  
ICC6  
tRC ≥ tRC(min)  
100  
80 mA  
2
1
–
–
2
1
–
–
2
1
mA  
mA 15  
Self refresh current  
CKE ≤ 0.2 V  
CL = CAS latency.  
5/21/01; v.1.1  
Alliance Semiconductor  
P. 7 of 29  
1...45678910...29

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