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AS4C256K16E0-35JC

更新时间： 2024-09-16 22:20:23

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ALSC		存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数	文件大小	规格书
24页	632K
描述
5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO)

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AS4C256K16E0

Write cycle

-30

-35

-50

Std

Symbol

Parameter

Min

Max

Min

Max

–

Min

Max Unit

Notes

t_ASC

Column address setup time

–

t_CAH

t_AWR

t_WCS

t_WCH

t_WCR

t_WP

Column address hold time

Column address hold time to RAS

Write command setup time

Write command hold time

Write command hold time to RAS

Write command pulse width

Write command to RAS lead time

Write command to CAS lead time

Data-in setup time

–

t_RWL

t_CWL

t_DS

–

t_DH

Data-in hold time

–

t_DHR

Data-in hold time to RAS

–

Shaded areas contain advance information.

Read-modify-write cycle

-30

-35

-50

Std

Symbol

Parameter

Min

100

Max

–

Min

105

Max

–

Min

120

Max Unit

Notes

t_RWC

Read-write cycle time

–

t_RWD

RAS to WE delay time

CAS to WE delay time

Column address to WE delay time

CAS to RAS hold time (write)

CAS pulse width (write)

–

t_CWD

–

t_AWD

–

t_RSH(W)

t_CAS(W)

–

Shaded areas contain advance information.

4/11/01; v.1.1

Alliance Semiconductor

5 of 24

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