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AS4C1M16F5

更新时间： 2022-11-24 21:43:16

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5V 1M X 16 CMOS DRAM

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AS4C1M16F5 数据手册

AS4C1M16F5

Write cycle

-50

-60

Symbol

t_WCS

t_WCH

t_WP

Parameter

Min

Max

–

Min

Max

–

Unit Notes

Write command setup time

Write command hold time

Write command pulse width

Write command to RAS lead time

Write command to CAS lead time

Data-in setup time

–

t_RWL

t_CWL

t_DS

–

t_DH

Data-in hold time

–

Read-modify-write cycle

-50

-60

Symbol

t_RWC

Parameter

Min

113

Max

–

Min

135

Max

–

Unit Notes

Read-write cycle time

RAS to WE delay time

CAS to WE delay time

Column address to WE delay time

t_RWD

–

t_CWD

t_AWD

–

Refresh cycle

-50

-60

Symbol

t_CSR

Parameter

CAS setup time (CAS-before-RAS

Min

Max

Min

Max

–

Unit Notes

)

–

t_CHR

CAS hold time (CAS-before-RAS)

RAS precharge to CAS hold time

–

t_RPC

–

CAS precharge time

(CBR counter test)

t_CPT

–

4/11/01; v.0.9.1

Alliance Semiconductor

P. 5 of 21

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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