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AS4C1M16F5-60JI PDF预览

AS4C1M16F5-60JI

更新时间： 2024-11-08 21:54:23
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
21页 475K
描述
5V 1M X 16 CMOS DRAM

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AS4C1M16F5-60JI 数据手册

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AS4C1M16F5  
®
5V 1M×16 CMOS DRAM (fast-page mode)  
Features  
• 1024 refresh cycles, 16 ms refresh interval  
RAS-only or CAS-before-RAS refresh  
• Organization: 1,048,576 words × 16 bits  
• High speed  
-
• Read-modify-write  
- 50/60 ns RAS access time  
- 20/25 ns fast page cycle time  
- 13/17 ns CAS access time  
• Low power consumption  
• TTL-compatible, three-state DQ  
• JEDEC standard package and pinout  
- 400 mil, 42-pin SOJ  
- 400 mil, 44/50-pin TSOP II  
• 5V power supply  
• Industrial and commercial temperature available  
- Active:  
880 mW max (AS4C1M16E0-60)  
- Standby: 11 mW max, CMOS DQ  
• Fast page mode  
Pin arrangement  
Pin designation  
TSOP II  
50  
Pin(s)  
A0 to A9  
RAS  
Description  
SOJ  
VCC  
VSS  
1
Address inputs  
Vcc  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
Vcc  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ8  
NC  
1
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
VSS  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
DQ16  
DQ15  
DQ14  
DQ13  
VSS  
DQ12  
DQ11  
DQ10  
DQ9  
2
2
DQ16  
DQ15  
DQ14  
DQ13  
VSS  
3
3
Row address strobe  
Input/output  
4
4
DQ4  
5
5
DQ1 to DQ16  
OE  
VCC  
6
6
DQ5  
7
DQ12  
DQ11  
DQ10  
DQ9  
NC  
7
Output enable  
8
DQ6  
DQ7  
DQ8  
8
9
9
WE  
Write enable  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
10  
11  
NC  
NC  
NC  
WE  
LCAS  
UCAS  
OE  
UCAS  
LCAS  
Column address strobe, upper byte  
Column address strobe, lower byte  
Power  
RAS  
NC  
A9  
NC  
A8  
NC  
NC  
WE  
RAS  
NC  
NC  
A0  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
NC  
LCAS  
UCAS  
OE  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
VCC  
A0  
A7  
A1  
A6  
VSS  
Ground  
A2  
A5  
A3  
A4  
A9  
Vcc  
VSS  
A8  
A7  
A1  
A6  
A2  
23  
24  
25  
A5  
28  
27  
26  
A3  
A4  
VCC  
VSS  
Selection guide  
Symbol  
tRAC  
tAA  
AS4C1M16F5-50  
50  
AS4C1M16F5-60  
Unit  
Maximum RAS access time  
60  
30  
ns  
ns  
Maximum column address access time  
Maximum CAS access time  
25  
13  
tCAC  
tOEA  
tRC  
17  
ns  
Maximum output enable (OE) access time  
Minimum read or write cycle time  
Minimum fast page mode cycle time  
Maximum operating current  
13  
15  
ns  
84  
104  
25  
ns  
tPC  
20  
ns  
ICC1  
ICC5  
170  
2.0  
160  
2.0  
mA  
mA  
Maximum CMOS standby current  
4/11/01; v.0.9.1  
Alliance Semiconductor  
P. 1 of 21  
Copyright © Alliance Semiconductor. All rights reserved.  
1234567...21

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与AS4C1M16F5-60JI相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AS4C1M16F5-60TC ETC

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 		5V 1M X 16 CMOS DRAM
AS4C1M16F5-60TI ETC

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AS4C1M16S-6TIN ALSC

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