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AS4C1M16S-7TCN

更新时间: 2024-02-17 16:28:50
品牌 Logo 应用领域
ALSC 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
54页 1530K
描述
1M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM)

AS4C1M16S-7TCN 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:50
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02Factory Lead Time:8 weeks
风险等级:1.66访问模式:DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间:5.4 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-G50长度:20.95 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:50
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

AS4C1M16S-7TCN 数据手册

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AS4C1M16S-C&I  
Revision History  
Revision Details  
Date  
Rev 1.0  
Rev 2.0  
Preliminary datasheet  
Add 166MHZ and industrial parts.  
February 2015  
March 2015  
Alliance Memory Inc. 511 Taylor Way, San Carlos, CA 94070  
TEL: (650) 610-6800 FAX: (650) 620-9211  
Alliance Memory Inc. reserves the right to change products or specification without notice.  
Confidential  
Rev. 2.0 March /2015  
0

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