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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | TSOP2, | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 8 weeks |
| 风险等级： | 2.24 | 访问模式： | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 5.4 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G50 | 长度： | 20.95 mm |
| 内存密度： | 16777216 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 50 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 1MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 自我刷新： | YES |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| AS4C1M16S-7TCN | ALSC | 1M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM) |
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| AS4C1M16S-CI | ALSC | Programmable Mode registers |
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| AS4C256K16E0 | ALSC | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
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| AS4C256K16E0-30 | ALSC | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
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| AS4C256K16E0-30JC | ALSC | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
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| AS4C256K16E0-35 | ALSC | 5V 256Kx16 CMOS DRAM (EDO) |
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