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AS4C1M16F5-60JI PDF预览

AS4C1M16F5-60JI

更新时间： 2024-01-16 00:45:23
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
21页 475K
描述
5V 1M X 16 CMOS DRAM

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AS4C1M16F5-60JI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSOP44/50,.46,32
针数：50Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.78访问模式：FAST PAGE
最长访问时间：60 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e0长度：20.95 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：1端子数量：44
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：1MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP44/50,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：1024
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：NO
最大待机电流：0.002 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.135 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

AS4C1M16F5-60JI 数据手册

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AS4C1M16F5  
®
AC parameters common to all waveforms  
-50  
-60  
Symbol  
tRC  
Parameter  
Min  
84  
30  
50  
8
Max  
–
Min  
104  
40  
60  
10  
15  
12  
10  
50  
5
Max  
–
Unit Notes  
Random read or write cycle time  
RAS precharge time  
ns  
ns  
ns  
ns  
tRP  
–
–
tRAS  
tCAS  
tRCD  
tRAD  
tRSH  
tCSH  
tCRP  
tASR  
tRAH  
tT  
RAS pulse width  
10K  
10K  
35  
25  
–
10K  
10K  
43  
30  
–
CAS pulse width  
RAS to CAS delay time  
RAS to column address delay time  
CAS to RAS hold time  
15  
12  
10  
40  
5
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
6
7
RAS to CAS hold time  
–
–
CAS to RAS precharge time  
Row address setup time  
Row address hold time  
Transition time (rise and fall)  
Refresh period  
–
–
0
–
0
–
8
–
10  
1
–
1
50  
16  
–
50  
16  
–
ns 4,5  
tREF  
tCP  
–
–
ms  
ns  
ns  
ns  
ns  
3
CAS precharge time  
8
10  
30  
0
tRAL  
tASC  
tCAH  
Column address to RAS lead time  
Column address setup time  
Column address hold time  
25  
0
–
–
–
–
8
10  
–
Read cycle  
-50  
-60  
Symbol  
tRAC  
Parameter  
Min  
–
Max  
50  
13  
25  
–
Min  
–
Max  
60  
17  
30  
–
Unit Notes  
ns  
Access time from RAS  
6
tCAC  
Access time from CAS  
–
–
ns 6,13  
ns 7,13  
ns  
tAA  
Access time from address  
Read command setup time  
Read command hold time to CAS  
Read command hold time to RAS  
–
–
tRCS  
0
0
tRCH  
0
–
0
–
ns  
ns  
9
9
0
–
0
–
tRRH  
4/11/01; v.0.9.1  
Alliance Semiconductor  
P. 4 of 21  
1234567...21

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