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AS4C1M16F5

更新时间： 2022-11-24 21:43:16
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21页 475K
描述
5V 1M X 16 CMOS DRAM

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AS4C1M16F5 数据手册

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AS4C1M16F5  
®
Absolute maximum ratings  
Parameter  
Symbol  
Vin  
Min  
-1.0  
-1.0  
-1.0  
-55  
–
Max  
Unit  
Input voltage  
+7.0  
VCC + 0.5  
+7.0  
+150  
260 × 10  
1
V
Input voltage (DQs)  
VDQ  
V
Power supply voltage  
Storage temperature (plastic)  
Soldering temperature × time  
Power dissipation  
VCC  
V
TSTG  
TSOLDER  
PD  
°C  
oC × sec  
–
W
Short circuit output current  
Iout  
–
50  
mA  
DC electrical characteristics  
-50  
-60  
Parameter  
Symbol Test conditions  
0V ≤ Vin ≤ +5.5V,  
Pins not under test = 0V  
DOUT disabled, 0V ≤ Vout ≤ +5.5V  
LCAS, Address cycling;  
Min Max Min Max Unit Notes  
Input leakage current  
IIL  
-5  
-5  
–
+5  
+5  
-5  
-5  
–
+5  
+5  
µA  
µA  
Output leakage current IOL  
Operating power  
ICC1  
RAS, UCAS,  
170  
160 mA  
2.5 mA  
1,2  
supply current  
tRC=min  
TTL standby power  
ICC2  
RAS  
=
UCAS  
=
LCAS ≥ VIH  
–
–
2.5  
–
–
supply current  
Average power supply  
current, RAS refresh mode ICC3  
or CBR  
RAS cycling, UCAS  
= LCAS ≥ VIH,  
170  
160 mA  
110 mA  
1
tRC = min of RAS low after XCAS low.  
Fast page mode average  
ICC4  
RAS = VIL, UCAS or LCAS,  
address cycling: tPC = min  
–
–
120  
2.0  
–
–
1, 2  
power supply current  
CMOS standby power  
ICC5  
RAS  
=
UCAS  
=
LCAS = VCC - 0.2V  
2.0  
mA  
supply current  
VOH  
IOUT = -5.0 mA  
IOUT = 4.2 mA  
2.4  
–
–
2.4  
–
–
V
V
Output voltage  
VOL  
0.4  
0.4  
CAS before RAS refresh  
current  
RAS  
,
UCAS or LCAS cycling, tRC = min  
–
170  
–
160 mA  
ICC6  
4/11/01; v.0.9.1  
Alliance Semiconductor  
P. 3 of 21  
1234567...21

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