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AS4C1M16F5

更新时间： 2022-11-24 21:43:16

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21页	475K
描述
5V 1M X 16 CMOS DRAM

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AS4C1M16F5 数据手册

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AS4C1M16F5

®

AC parameters common to all waveforms

-50

-60

Symbol

t_RC

Parameter

Min

84

30

50

8

Max

–

Min

104

40

60

10

15

12

10

50

5

Max

–

Unit Notes

Random read or write cycle time

RAS precharge time

ns

ns

ns

ns

t_RP

–

–

t_RAS

t_CAS

t_RCD

t_RAD

t_RSH

t_CSH

t_CRP

t_ASR

t_RAH

t_T

RAS pulse width

10K

10K

35

25

–

10K

10K

43

30

–

CAS pulse width

RAS to CAS delay time

RAS to column address delay time

CAS to RAS hold time

15

12

10

40

5

ns

ns

ns

ns

ns

ns

ns

6

7

RAS to CAS hold time

–

–

CAS to RAS precharge time

Row address setup time

Row address hold time

Transition time (rise and fall)

Refresh period

–

–

0

–

0

–

8

–

10

1

–

1

50

16

–

50

16

–

ns 4,5

t_REF

t_CP

–

–

ms

ns

ns

ns

ns

3

CAS precharge time

8

10

30

0

t_RAL

t_ASC

t_CAH

Column address to RAS lead time

Column address setup time

Column address hold time

25

0

–

–

–

–

8

10

–

Read cycle

-50

-60

Symbol

t_RAC

Parameter

Min

–

Max

50

13

25

–

Min

–

Max

60

17

30

–

Unit Notes

ns

Access time from RAS

6

t_CAC

Access time from CAS

–

–

ns 6,13

ns 7,13

ns

t_AA

Access time from address

Read command setup time

Read command hold time to CAS

Read command hold time to RAS

–

–

t_RCS

0

0

t_RCH

0

–

0

–

ns

ns

9

9

0

–

0

–

tRRH

4/11/01; v.0.9.1

Alliance Semiconductor

P. 4 of 21

1 2 345 6 7...21

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与AS4C1M16F5相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
AS4C1M16F5-45JC	ALSC	Fast Page DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42	获取价格
AS4C1M16F5-45TC	ALSC	Fast Page DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44	获取价格
AS4C1M16F5-50JC	ETC	5V 1M X 16 CMOS DRAM	获取价格
AS4C1M16F5-50JI	ETC	5V 1M X 16 CMOS DRAM	获取价格
AS4C1M16F5-50TC	ETC	5V 1M X 16 CMOS DRAM	获取价格
AS4C1M16F5-50TI	ETC	5V 1M X 16 CMOS DRAM	获取价格

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