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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOJ | 包装说明： | SOJ, SOJ42,.44 |
| 针数： | 42 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.78 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | FAST PAGE | 最长访问时间： | 45 ns |
| 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-J42 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 27.31 mm | 内存密度： | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型： | FAST PAGE DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 42 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 1MX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOJ |
| 封装等效代码： | SOJ42,.44 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 1024 | 座面最大高度： | 3.76 mm |
| 自我刷新： | NO | 最大待机电流： | 0.002 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.155 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | J BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AS4C1M16F5-45TC | ALSC |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44 |
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| AS4C1M16F5-50JC | ETC |
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5V 1M X 16 CMOS DRAM |
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| AS4C1M16F5-50JI | ETC |
获取价格 |
5V 1M X 16 CMOS DRAM |
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| AS4C1M16F5-50TC | ETC |
获取价格 |
5V 1M X 16 CMOS DRAM |
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| AS4C1M16F5-50TI | ETC |
获取价格 |
5V 1M X 16 CMOS DRAM |
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| AS4C1M16F5-60JC | ETC |
获取价格 |
5V 1M X 16 CMOS DRAM |
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| AS4C1M16F5-60JI | ETC |
获取价格 |
5V 1M X 16 CMOS DRAM |
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| AS4C1M16F5-60TC | ETC |
获取价格 |
5V 1M X 16 CMOS DRAM |
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| AS4C1M16F5-60TI | ETC |
获取价格 |
5V 1M X 16 CMOS DRAM |
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| AS4C1M16S-6TIN | ALSC |
获取价格 |
1M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM) |
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