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AS4C1M16F5-45JC

更新时间： 2024-02-11 23:07:53

品牌	Logo	应用领域
ALSC		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
22页	486K
描述
Fast Page DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42

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AS4C1M16F5-45JC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOJ	包装说明：	SOJ, SOJ42,.44
针数：	42	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.78	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	45 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-J42	JESD-609代码：	e0
长度：	27.31 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	42	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ42,.44	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	座面最大高度：	3.76 mm
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.155 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

AS4C1M16F5-45JC 数据手册

AS4C1M16F5

Fast page mode early write waveform

RASP

RWL

RAH

RAS

RCD

CRP

CAH

CSH

ASC

RSH

CAS

WCS

CAS

RAL

RAD

ASR

Address

Row

Column

CWL

OEH

WCH

HDR

OED

I/O

Data In

Data in

CAS before RAS refresh waveform

WE = V_IH

RAS

CHR

RPC

CSR

UCAS,

LCAS

OPEN

RAS only refresh waveform

WE = OE = V_IHor V_IL

RAS

RPC

CRP

UCAS,

LCAS

RAH

ASR

Address

Row address

3/22/02; v.0.9.2

Alliance Semiconductor

P. 16 of 22

1...13 14 151617 18 19...22

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与AS4C1M16F5-45JC相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AS4C1M16F5-45TC	ALSC	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44
AS4C1M16F5-50JC	ETC	获取价格	5V 1M X 16 CMOS DRAM
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AS4C1M16F5-60TC	ETC	获取价格	5V 1M X 16 CMOS DRAM
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