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AS4C1M16E5-60TI

更新时间: 2024-02-28 10:49:54
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ALSC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
22页 601K
描述
5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)

AS4C1M16E5-60TI 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOJ包装说明:SOJ, SOJ42,.44
针数:42Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.73Is Samacsys:N
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J42JESD-609代码:e0
长度:27.31 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:42字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ42,.44封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
座面最大高度:3.76 mm自我刷新:YES
最大待机电流:0.001 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.135 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

AS4C1M16E5-60TI 数据手册

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AS4C1M16E5  
®
DC electrical characteristics  
-45  
-50  
-60  
Parameter  
Symbol Test conditions  
Min Max Min Max Min Max Unit Notes  
0V Vin VCC (max)  
Pins not under test = 0V  
Input leakage current  
IIL  
-5  
-5  
+5  
+5  
-5  
-5  
+5  
+5  
-5  
-5  
+5  
+5  
µA  
µA  
Output leakage  
current  
DOUT disabled, 0V Vout VCC  
(max)  
IOL  
Operating power  
supply current  
RAS, UCAS, LCAS, Address cycling;  
RC=min  
ICC1  
ICC2  
155  
2.0  
145  
2.0  
135 mA 4,5  
2.0 mA  
t
TTL standby power  
supply current  
RAS = UCAS = LCAS VIH,  
all other inputs at VIH or VIL  
Average power supply  
current, RAS refresh  
mode or CBR  
RAS cycling, UCAS = LCAS VIH,  
ICC3  
t
RC = min of RAS low after XCAS  
145  
135  
125 mA  
4
low.  
EDO page mode  
average power supply  
current  
RAS = VIL, UCAS or LCAS,  
address cycling: tHPC = min  
ICC4  
130  
1.0  
120  
1.0  
110 mA 4, 5  
1.0 mA  
CMOS standby power  
supply current  
RAS = UCAS = LCAS = VCC - 0.2V,  
F = 0  
ICC5  
VOH IOUT = -5.0 mA  
VOL IOUT = 4.2 mA  
2.4  
2.4  
2.4  
V
V
Output voltage  
0.4  
0.4  
0.4  
CAS before RAS  
refresh current  
RAS, UCAS or LCAS cycling, tRC  
min  
=
mA  
ICC6  
155  
145  
135  
4/11/01; v.1.0  
Alliance Semiconductor  
P. 4 of 22  

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