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AS4C1M16E5-60TI PDF预览

AS4C1M16E5-60TI

更新时间： 2024-01-21 11:52:34
品牌 Logo 应用领域
ALSC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
22页 601K
描述
5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)

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AS4C1M16E5-60TI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：SOJ, SOJ42,.44
针数：42Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.73Is Samacsys：N
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：60 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-J42JESD-609代码：e0
长度：27.31 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：EDO DRAM内存宽度：16
功能数量：1端口数量：1
端子数量：42字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：1MX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装等效代码：SOJ42,.44封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：1024
座面最大高度：3.76 mm自我刷新：YES
最大待机电流：0.001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.135 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

AS4C1M16E5-60TI 数据手册

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AS4C1M16E5  
®
Hyper page mode cycle  
-45  
-50  
-60  
Symbol  
tCPWD  
tCPA  
Parameter  
Min  
45  
–
Max  
–
Min  
45  
–
Max  
–
Min  
52  
–
Max  
–
Unit Notes  
ns  
CAS precharge to WE delay time  
Access time from CAS precharge  
RAS pulse width  
28  
100K  
–
28  
100K  
–
35  
100K  
–
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
16  
tRASP  
tDOH  
tREZ  
45  
5
50  
5
60  
5
Previous data hold time from CAS  
Output buffer turn off delay from RAS  
Output buffer turn off delay from WE  
Output buffer turn off delay from OE  
Hyper page mode cycle time  
Hyper page mode RMW cycle  
RAS hold time from CAS  
0
13  
13  
13  
–
0
13  
13  
13  
–
0
15  
15  
15  
–
tWEZ  
0
0
0
tOEZ  
0
0
0
tHPC  
20  
47  
30  
20  
47  
30  
25  
56  
35  
tHPRWC  
tRHCP  
–
–
–
–
–
–
Output enable  
-45  
-50  
-60  
Symbol  
tCLZ  
Parameter  
Min  
0
Max  
–
Min  
0
Max  
–
Min  
0
Max  
–
Unit Notes  
CAS to output in Low Z  
RAS hold time referenced to OE  
OE access time  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
11  
tROH  
tOEA  
tOED  
tOEZ  
8
–
8
–
10  
–
–
–
13  
–
–
13  
–
15  
–
OE to data delay  
13  
0
13  
0
15  
0
Output buffer turnoff delay from OE  
OE command hold time  
OE to output in Low Z  
Output buffer turn-off time  
13  
–
13  
–
15  
–
11  
tOEH  
tOLZ  
10  
0
10  
0
10  
0
–
–
–
tOFF  
0
13  
0
13  
0
15  
11,13  
4/11/01; v.1.0  
Alliance Semiconductor  
P. 7 of 22  
1...45678910...22

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
AS4C1M16F5 ETC 5V 1M X 16 CMOS DRAM

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