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AS4C1M16E5-60TI

更新时间: 2024-01-26 05:40:21
品牌 Logo 应用领域
ALSC 动态存储器
页数 文件大小 规格书
22页 601K
描述
5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO)

AS4C1M16E5-60TI 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOJ包装说明:SOJ, SOJ42,.44
针数:42Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.73Is Samacsys:N
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J42JESD-609代码:e0
长度:27.31 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:42字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ42,.44封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
座面最大高度:3.76 mm自我刷新:YES
最大待机电流:0.001 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.135 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

AS4C1M16E5-60TI 数据手册

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AS4C1M16E5  
®
Absolute maximum ratings  
Parameter  
Symbol  
Vin  
Min  
-1.0  
-1.0  
-1.0  
-65  
Max  
Unit  
Input voltage  
+7.0  
VCC + 0.5  
+7.0  
+150  
260 × 10  
1
V
Input voltage (DQs)  
VDQ  
V
Power supply voltage  
Storage temperature (plastic)  
Soldering temperature × time  
Power dissipation  
VCC  
V
TSTG  
°C  
oC × sec  
TSOLDER  
PD  
W
Short circuit output current  
Iout  
50  
mA  
Truth table  
Addresses  
Operation  
Standby  
RAS  
LCAS  
H to X  
L
UCAS  
H to X  
L
WE  
X
OE  
X
tR  
tC  
X
DQ0 to DQ15  
High-Z  
Notes  
H
L
X
Word read  
H
L
ROW  
COL  
Data out  
Lower byte  
read  
Lower byte,  
Upper byte, Data out  
L
L
L
L
L
L
H
L
H
L
H
H
L
L
L
ROW  
ROW  
ROW  
ROW  
ROW  
COL  
COL  
COL  
COL  
COL  
Upper byte  
read  
Lower byte,  
Data out, Upper byte  
Word  
(early) write  
L
X
X
X
Data in  
Lower byte  
(early) write  
Lower byte, Data in,  
Upper byte, High-Z  
L
H
L
L
Upper byte  
(early) write  
Lower byte, High-Z,  
Upper byte, Data in  
H
L
Read write  
EDO read  
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H to L L to H ROW  
COL  
COL  
COL  
n/a  
Data out, Data in  
Data out  
1,2  
2
1st cycle  
2nd cycle  
Any cycle  
1st cycle  
2nd cycle  
1st cycle  
2nd cycle  
H to L  
H to L  
L to H  
H to L  
H to L  
H to L  
H to L  
H to L  
H to L  
L to H  
H to L  
H to L  
H
H
H
L
L
L
ROW  
n/a  
Data out  
2
L
n/a  
Data out  
2
X
X
ROW  
n/a  
COL  
COL  
COL  
COL  
Data in  
1
EDO write  
L
Data in  
1
H to L H to L L to H ROW  
Data out, Data in  
Data out, Data in  
1,2  
1,2  
EDO  
read write  
H to L H to L L to H  
n/a  
ROW  
X
RAS only  
refresh  
L
H
L
H
L
X
X
X
n/a  
X
High Z  
High Z  
CBR refresh  
H to L  
H
3
4/11/01; v.1.0  
Alliance Semiconductor  
P. 3 of 22  

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