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AS4C14405-70JC

更新时间： 2024-02-01 11:40:45
品牌 Logo 应用领域
ALSC 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
16页 395K
描述
1M-bit × 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO)

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AS4C14405-70JC 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：TSOP, TSOP20/26(UNSPEC)Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92最长访问时间：70 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G20
JESD-609代码：e0内存密度：4194304 bit
内存集成电路类型：EDO DRAM内存宽度：4
端子数量：20字数：1048576 words
字数代码：1000000最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1MX4
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP封装等效代码：TSOP20/26(UNSPEC)
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：1024自我刷新：NO
最大待机电流：0.001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.06 mA标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

AS4C14405-70JC 数据手册

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AS4C14400  
®
Functional description  
The AS4C14400 is a high performance CMOS Dynamic Random Access Memory organized as 1,048,576 words × 4 bits. The AS4C14400 is  
fabricated with advanced CMOS technology and designed with innovative design techniques resulting in high speed, extremely low power  
and wide operating margins at component and system levels.  
The AS4C14400 features a high speed page mode operation in which high speed read, write and read-write are performed on any of the  
1024 × 4 bits defined by the column address. The asynchronous column address uses an extremely short row address capture time to ease  
the system level timing constraints associated with multiplexed addressing. Output is tri-stated by a column address strobe (CAS) which acts  
as an output enable independent of RAS. Very fast CAS to output access time eases system design.  
Refresh on the 1024 address combinations of A0 to A9 during a 16 ms period is accomplished by performing any of the following:  
• RAS-only refresh cycles  
• Hidden refresh cycles  
• CAS-before-RAS refresh cycles  
• Normal read or write cycles  
The AS4C14400 is available in JEDEC standard 20/26-pin plastic SOJ and 20/26-pin plastic TSOP packages. System level features include  
single power supply of 5.0 ± 0.5V tolerance and direct interface with TTL logic families.  
Logic block diagram  
I/O3  
Vcc  
Column decoder  
Sense amp  
Data  
I/O  
I/O2  
I/O1  
I/O0  
GND  
A0  
A1  
A2  
A3  
A4  
A5  
A6  
A7  
A8  
A9  
OE  
RAS clock  
generator  
1024 × 1024 × 4  
Array  
RAS  
(4,194,304)  
CAS clock  
generator  
CAS  
WE  
WE clock  
generator  
Recommended operating conditions  
Parameter  
Symbol  
Minimum  
Nominal  
Maximum  
Unit  
V
V
4.5  
0.0  
2.4  
–1.0  
0
5.0  
0.0  
–
5.5  
0.0  
CC  
Supply voltage  
GND  
V
V
V
V
+ 1  
CC  
V
IH  
IL  
Input voltage  
–
0.8  
70  
V
Operating temperature  
TA  
°C  
Recommended operating conditions apply to all specifications unless otherwise noted.  
2
1234567...16

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AS4C14405-70TC ALSC 1M-bit × 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO)

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