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AS30N03S-Q1

更新时间： 2024-11-04 18:07:03

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安邦 - ANBON		/
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描述
DFN3.3*3.3-8L

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AS30N03S-Q1 数据手册

AS30N03S-Q1

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Product Summary

V_(BR)DSS

R_DS(on)MAX

10mΩ@10V

13mΩ@4.5V

I_D

30V

30A

Feature

Application



High density cell design for ultra low Rdson



High current load applications

Load switching

Fully characterized Avalanche voltage and current

Suffix "-Q1" for AEC-Q101

Hard switched and high frequency circuits

Uninterruptible power supply

Package

Circuit diagram

DFN3.3X3.3-8L

Marking

Q30N03

XXXX

Document ID

AS-1150177

Issued Date

2018/03/03

Revised Date

2020/03/06

Revision

Page.

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