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AS30P02S

更新时间： 2024-11-04 18:07:07

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安邦 - ANBON		/
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描述
DFN3.3*3.3-8L

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AS30P02S 数据手册

AS30P02S

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Product Summary

V_(BR)DSS

R_DS(on)MAX

I_D

19mΩ@-4.5V

26mΩ@-2.5V

45mΩ@-1.8V

-20V

-30A

Feature

Application



High density cell design for ultra low Rdson

High Speed switching



Battery protection

Load switching

Power management

Package

Circuit diagram

DFN3.3X3.3-8L

Marking

D1 D2 D2

Q30P02

XXXX

S1 G1 S2 G2

Document ID

AS-3150220

Issued Date

2013/03/03

Revised Date

2020/03/05

Revision

Page.

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