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AS30ND06S-Q1

更新时间： 2024-11-28 18:07:11

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安邦 - ANBON		/
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DFN5*6-8L

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AS30ND06S-Q1 数据手册

AS30ND06S-Q1

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Product Summary

V_(BR)DSS

R_DS(on)MAX

I_D

14mΩ@10V

60V

30A

17.5mΩ@4.5V

Feature

Application



Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)

Very low on-resistance RDS(on)

150 °C operating temperature

Pb-free lead plating



DC/DC Converter

Ideal for high-frequency switching and synchronous

rectification

Suffix “-Q1” for AEC-Q101

Package

Circuit diagram

DFN5X6-8L

Marking

30ND06

XXXXX

Document ID

AS-1150393

Issued Date

2018/03/08

Revised Date

2023/01/31

Revision

Page.

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