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APTM50DAM17G-Module

更新时间： 2023-12-06 20:11:23

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美国微芯 - MICROCHIP		/
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MOSFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeAvalanche energy ratedVery ruggedKe

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APTM50DAM17G

Breakdown Voltage vs Temperature

ON resistance vs Temperature

2.5

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

V_GS=10V

I_D=90A

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

-50 -25

25 50 75 100 125 150

-50 -25

25 50 75 100 125 150

T_J, Junction Temperature (°C)

Threshold Voltage vs Temperature

Maximum Safe Operating Area

1000

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

limited by R_DSon

100 us

1 ms

100

Single pulse

T_J=150°C

T_C=25°C

10 ms

100 ms

100

1000

-50 -25

25 50 75 100 125 150

_DS, Drain to Source Voltage (V)

T_C, Case Temperature (°C)

Gate Charge vs Gate to Source Voltage

Capacitance vs Drain to Source Voltage

100000

10000

1000

100

V_DS=100V

I_D=180A

Ciss

T_J=25°C

V_DS=250V

Coss

V_DS=400V

Crss

100 200 300 400 500 600 700

V_DS, Drain to Source Voltage (V)

Gate Charge (nC)

5 – 7

www.microsemi.com

1 2 3 456 7

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