是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.22 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 2500 mJ | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | PARALLEL, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 500 V |
最大漏极电流 (ID): | 90 A | 最大漏源导通电阻: | 0.045 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-XUFM-X8 |
JESD-609代码: | e1 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 2 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 360 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | TIN SILVER COPPER | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
APTM50DHM38G | MICROSEMI | Asymmetrical - bridge MOSFET Power Module |
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APTM50DHM38G-Module | MICROCHIP | MOSFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeAvalanche energy ratedVery |
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APTM50DHM65T | ADPOW | Asymmetrical - Bridge MOSFET Power Module |
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APTM50DHM65T3G | MICROSEMI | Asymmetrical - Bridge MOSFET Power Module |
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APTM50DHM65TG | MICROSEMI | Asymmetrical - Bridge MOSFET Power Module |
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APTM50DHM75T | ADPOW | Asymmetrical - Bridge MOSFET Power Module |
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