是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X25 |
针数: | 25 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.22 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 3000 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (ID): | 51 A |
最大漏源导通电阻: | 0.078 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-XUFM-X25 | JESD-609代码: | e1 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 25 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 204 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN SILVER COPPER |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
APTM50DDAM65T3G-Module | MICROCHIP | MOSFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeAvalanche energy ratedVery |
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APTM50DHM35 | ADPOW | Asymmetrical - Bridge MOSFET Power Module |
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APTM50DHM35G | MICROSEMI | Asymmetrical - bridge MOSFET Power Module |
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APTM50DHM38 | ADPOW | Asymmetrical - Bridge MOSFET Power Module |
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APTM50DHM38G | MICROSEMI | Asymmetrical - bridge MOSFET Power Module |
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APTM50DHM38G-Module | MICROCHIP | MOSFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeAvalanche energy ratedVery |
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