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APTM50DHM35G

更新时间： 2024-02-12 05:19:00

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美高森美 - MICROSEMI		/
页数	文件大小	规格书
6页	280K
描述
Asymmetrical - bridge MOSFET Power Module

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APTM50DHM35G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.22
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	PARALLEL, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	99 A
最大漏源导通电阻：	0.039 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-XUFM-X8	JESD-609代码：	e1
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	396 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

APTM50DHM35G 数据手册

APTM50DHM35G

V_DSS= 500V

Asymmetrical - bridge

R_DSon= 35mΩ typ @ Tj = 25°C

MOSFET Power Module

I_D= 99A @ Tc = 25°C

Application

VBUS

•

Welding converters

CR3

Switched Mode Power Supplies

Switched Reluctance Motor Drives

OUT2

Features

OUT1

•

Power MOS 7^®MOSFETs

Low R_DSon

CR2

Low input and Miller capacitance

Low gate charge

Avalanche energy rated

Very rugged

0/VBUS

OUT1

•

Kelvin source for easy drive

Very low stray inductance

Symmetrical design

M5 power connectors

•

High level of integration

Benefits

VBUS

0/VBUS

•

Outstanding performance at high frequency operation

Direct mounting to heatsink (isolated package)

Low junction to case thermal resistance

Low profile

OUT2

RoHS Compliant

Absolute maximum ratings

Symbol

Parameter

Max ratings

Unit

V_DSS

Drain - Source Breakdown Voltage

500

T_c= 25°C

I_D

Continuous Drain Current

T_c= 80°C

I_DM

V_GS

R_DSon

P_D

Pulsed Drain current

396

±30

Gate - Source Voltage

mΩ

Drain - Source ON Resistance

Maximum Power Dissipation

T_c= 25°C

781

I_AR

E_AR

E_AS

Avalanche current (repetitive and non repetitive)

Repetitive Avalanche Energy

Single Pulse Avalanche Energy

3000

These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed. See application note

APT0502 on www.microsemi.com

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