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APTM50DAM17G-Module

更新时间： 2023-12-06 20:11:23

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美国微芯 - MICROCHIP		/
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APTM50DAM17G

Typical Performance Curve

Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration

0.12

0.1

0.9

0.7

0.08

0.06

0.04

0.02

0.5

0.3

0.1

Single Pulse

0.05

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

rectangular Pulse Duration (Seconds)

Low Voltage Output Characteristics

Transfert Characteristics

600

500

400

300

200

100

800

600

400

200

V_DS> I_D(on)xR_DS(on)MAX

250µs pulse test @ < 0.5 duty cycle

V_GS=10&15V

6.5V

T_J=25°C

T_J=125°C

5.5V

T_J=-55°C

_DS, Drain to Source Voltage (V)

V_GS, Gate to Source Voltage (V)

DC Drain Current vs Case Temperature

180

R_DS(on) vs Drain Current

1.1

1.05

Normalized to

V_GS=10V @ 90A

160

140

120

100

V_GS=10V

V_GS=20V

0.95

0.9

100

150

200

250

100

125

150

I_D, Drain Current (A)

T_C, Case Temperature (°C)

4 – 7

www.microsemi.com

1 2 345 6 7

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