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APTGU60SK120T

更新时间： 2024-11-05 21:09:59
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网电动机控制栅晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 193K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 90A I(C), 1200V V(BR)CES

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APTGU60SK120T 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：,针数：12
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：90 A集电极-发射极最大电压：1200 V
门极-发射极最大电压：20 V元件数量：1
最高工作温度：150 °C最大功率耗散 (Abs)：390 W
子类别：Insulated Gate BIP TransistorsVCEsat-Max：3.9 V
Base Number Matches：1

APTGU60SK120T 数据手册

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APTGU60SK120T  
VCES = 1200V  
IC = 60A @ Tc = 80°C  
Buck chopper  
PT IGBT Power Module  
Application  
•
•
AC and DC motor control  
Switched Mode Power Supplies  
Features  
•
Power MOS 7® Punch Through (PT) IGBT  
-
-
-
-
Low conduction loss  
Ultra fast tail current shutoff  
Low gate charge  
Switching frequency capability in the 50kHz  
range  
-
-
Soft recovery parallel diodes  
Low diode VF  
•
•
Kelvin emitter for easy drive  
Very low stray inductance  
-
-
Symmetrical design  
Lead frames for power connections  
•
•
Internal thermistor for temperature monitoring  
High level of integration  
Benefits  
•
Outstanding performance at high frequency  
operation  
0/VBUS  
SENSE  
OUT  
•
•
•
Direct mounting to heatsink (isolated package)  
Low junction to case thermal resistance  
Solderable terminals both for power and signal for  
easy PCB mounting  
OUT  
VBUS  
0/VBUS  
E1  
G1  
NTC2  
NTC1  
0/VBUS  
SENSE  
•
Low profile  
Absolute maximum ratings  
Symbol  
Parameter  
Max ratings  
Unit  
VCES  
Collector - Emitter Breakdown Voltage  
1200  
V
Tc = 25°C  
Tc = 80°C  
Tc = 25°C  
90  
60  
210  
±20  
390  
IC  
Continuous Collector Current  
A
ICM  
VGE  
PD  
Pulsed Collector Current  
Gate – Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
V
W
Tc = 25°C  
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area  
Tj = 150°C 210A @ 960V  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed.  
1 - 3  
APT website – http://www.advancedpower.com  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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