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Datasheet > 晶体管 > IGBT> APTGV100H60T3G
APTGV100H60T3G PDF预览

APTGV100H60T3G

更新时间： 2024-11-05 06:37:31
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美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
9页 373K
描述
Full - Bridge NPT & Trench + Field Stop® IGBT Power module

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APTGV100H60T3G 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X25
针数：25Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：150 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：COMPLEX门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X25JESD-609代码：e1
湿度敏感等级：1元件数量：4
端子数量：25最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：416 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：370 ns标称接通时间 (ton)：180 ns
VCEsat-Max：1.9 VBase Number Matches：1

APTGV100H60T3G 数据手册

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APTGV100H60T3G  
Trench & Field Stop® IGBT Q1, Q3:  
V
CES = 600V ; IC = 100A @ Tc = 80°C  
Full - Bridge  
NPT & Trench + Field Stop® IGBT  
Power module  
Fast NPT IGBT Q2, Q4:  
VCES = 600V ; IC = 90A @ Tc = 80°C  
13 14  
Application  
• Solar converter  
Features  
Q1  
Q3  
CR1  
22  
CR3  
11  
10  
18  
19  
7
8
• Q2, Q4 FAST Non Punch Through (NPT) IGBT  
- Switching frequency up to 100 kHz  
- RBSOA & SCSOA rated  
23  
Q2  
29  
Q4  
32  
-
Low tail current  
CR2  
CR4  
26  
27  
4
3
• Q1, Q3 Trench & Field Stop IGBT®  
- Low voltage drop  
- Switching frequency up to 20 kHz  
- RBSOA & SCSOA rated  
30  
31  
-
Low tail current  
15  
16  
R1  
• Kelvin emitter for easy drive  
• Very low stray inductance  
Top switches : Trench + Field Stop IGBT®  
Bottom switches : FAST NPT IGBT  
• High level of integration  
• Internal thermistor for temperature monitoring  
28 27 26 25  
23 22  
20 19 18  
29  
30  
16  
15  
Benefits  
• Optimized conduction & switching losses  
• Direct mounting to heatsink (isolated package)  
• Low junction to case thermal resistance  
• Solderable terminals both for power and signal  
for easy PCB mounting  
31  
32  
14  
13  
2
3
4
7
8
10 11  
12  
• Low profile  
• Easy paralleling due to positive TC of VCEsat  
• RoHS Compliant  
All multiple inputs and outputs must be shorted together  
13/14 ; 15/16 ; 26/27 ; 31/32  
These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed. See application note  
APT0502 on www.microsemi.com  
1 - 9  
www.microsemi.com  
1234567...9

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