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APTGV50H120BTPG

更新时间： 2024-11-24 06:37:31

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管双极性晶体管栅局域网
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13页	426K
描述
Boost chopper + full bridge NPT & Trench + Field Stop IGBT Power module

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APTGV50H120BTPG 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X21	针数：	21
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	75 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	COMPLEX
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X21
JESD-609代码：	e1	湿度敏感等级：	1
元件数量：	5	端子数量：	21
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	270 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	610 ns
标称接通时间 (ton)：	140 ns	VCEsat-Max：	2.1 V
Base Number Matches：	1

APTGV50H120BTPG 数据手册

APTGV50H120BTPG

Trench & Field Stop IGBT Q1, Q3:

_CES= 1200V ; I_C= 50A @ Tc = 80°C

Boost chopper + full bridge

NPT & Trench + Field Stop IGBT

Power module

Fast NPT IGBT Q2, Q4:

V_CES= 1200V ; I_C= 50A @ Tc = 80°C

Fast NPT IGBT Q5:

V_CES= 1200V ; I_C= 100A @ Tc = 80°C

VBUS2

VBUS1

Application

• Solar converter

Features

CR3

CR1

CR5

OUT2

CR4

OUT1

CR2

CR5B

• Q2, Q4, Q5 (FAST Non Punch Through (NPT) IGBT)

- Switching frequency up to 100 kHz

- RBSOA & SCSOA rated

Low tail current

0/VBUS1

NTC

0/VBUS2

NTC2

• Q1, Q3 (Trench & Field Stop IGBT)

- Low voltage drop

NTC1

- Switching frequency up to 20 kHz

- RBSOA & SCSOA rated

Full bridge top switches : Trench + Field Stop IGBT

Full bridge bottom switches : FAST NPT IGBT

Q5 boost chopper : FAST NPT IGBT

Low tail current

• Kelvin emitter for easy drive

• Very low stray inductance

• High level of integration

• Internal thermistor for temperature monitoring

VBUS 1

VBUS 2

Benefits

• Optimized conduction & switching losses

• Direct mounting to heatsink (isolated package)

• Low junction to case thermal resistance

• Solderable terminals both for power and signal

for easy PCB mounting

0/VBUS 1

0/VBUS 2

OUT 1

OUT2

• Low profile

• Easy paralleling due to positive T_Cof V_CEsat

• RoHS Compliant

These Devices are sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handing Procedures Should Be Followed. See application note

APT0502 on www.microsemi.com

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www.microsemi.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APTGV50H120T3G	MICROSEMI	获取价格	Full - Bridge NPT & Trench + Field Stop? IGBT Power module
APTGV50H60BG	MICROSEMI	获取价格	Boost chopper CoolMos™ + full bridge NPT & Tr
APTGV50H60T3G	MICROSEMI	获取价格	Full - Bridge NPT & Trench + Field Stop? IGBT Power module
APTGV75H60T3G	MICROSEMI	获取价格	Full - Bridge NPT & Trench + Field Stop? IGBT Power module
APTH003A0X_10	LINEAGEPOWER	获取价格	Pico TLynxTM 3A: Non-Isolated DC-DC Power Modules
APTH003A0X4-SRZ	LINEAGEPOWER	获取价格	2.4 - 5.5Vdc input; 0.6Vdc to 3.63Vdc output; 3A output current
APTH003A0X-SR	LINEAGEPOWER	获取价格	Pico TLynxTM 3A: Non-Isolated DC-DC Power Modules
APTH003A0X-SRZ	LINEAGEPOWER	获取价格	2.4 - 5.5Vdc input; 0.6Vdc to 3.63Vdc output; 3A output current
APTH006A0X_11	LINEAGEPOWER	获取价格	Pico TLynxTM 6A: Non-Isolated DC-DC Power Modules
APTH006A0X4-SRZ	LINEAGEPOWER	获取价格	2.4 - 5.5Vdc input; 0.6Vdc to 3.63Vdc output; 6A output current

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