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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | , | 针数： | 12 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 90 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | 元件数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最大功率耗散 (Abs)： | 390 W |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | VCEsat-Max： | 3.9 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APTGU60DH120T | MICROSEMI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 90A I(C), 1200V V(BR)CES |
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| APTGU60SK120T | MICROSEMI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 90A I(C), 1200V V(BR)CES |
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| APTGU90DH120 | MICROSEMI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 130A I(C), 1200V V(BR)CES |
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| APTGU90DH120 | ADPOW |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-8 |
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| APTGU90H120 | MICROSEMI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 130A I(C), 1200V V(BR)CES |
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| APTGU90H120 | ADPOW |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 130A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-12 |
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| APTGV100H60BTPG | MICROSEMI |
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Boost chopper CoolMos™ + full bridge NPT & Tr |
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| APTGV100H60T3G | MICROSEMI |
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Full - Bridge NPT & Trench + Field Stop® IGBT |
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| APTGV15H120T3G | MICROSEMI |
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Full - Bridge NPT & Trench + Field Stop? IGBT Power module |
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| APTGV25H120BG | MICROSEMI |
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Boost chopper + Full - Bridge NPT & Trench + Field Stop IGBT Power module |
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